贝尔克半导体闸流管HTS 240-48-B高精度的阻值

德国Behlke低电容开关HTS 201-15-SiC是一种专为高频信号应用设计的开关，其低电容特性使其在高频或高速电路中具有重要的应用价值。在射频（RF）和微波电路中，低电容开关用于信号的选择和切换，避免由于开关自身电容引入的信号失真或信号衰减。在高速数字电路中，德国Behlke低电容开关HTS 201-15-SiC可用于时钟信号的切换，以确保信号完整性并减少延迟。在无线通信和有线通信设备中，低电容开关可以用作信号路径选择器或保护电路，保证信号的质量和稳定性。用于仪器仪表中的高频信号测试，以实现高精度的测量和切换功能。在无线电和卫星通信系统中，低电容开关帮助管理信号的路由，避免由于开关电容引起的信号失真。低电容开关通常采用特殊的设计和材料来小化开关的电容。这可能包括使用微机械开关（MEMS）技术、特殊的电设计或绝缘材料。

德国Behlke低电容开关HTS 201-15-SiC常见类型：微机械开关（MEMS开关）：使用微机械技术制造，具有低的电容特性。场效应管开关（FET开关）：利用场效应管的高输入阻抗特性来降低开关电容。

德国Behlke低电容开关HTS 201-15-SiC的工作原理依赖于降低开关的寄生电容。开关本身的电容与信号路径中的电容一起影响信号传输。低电容开关设计通过减少这些寄生电容，尽量减少对信号的影响。在低电容开关中，信号切换通常依靠电压控制或电流控制来实现开关的闭合或断开。开关操作对信号传输的影响小化，以保持信号的完整性。

田永福             QQ：2850590589               手机：15201542839             电话：010-64717020-122             传真：010-84786709-666             邮件：sales3@handelsen.cn

HTS 240-48-B

HTS 240-104-B

HTS 241-30-SiC 

HTS 401-160-LC2

FSWP 51-02 (NO)

GCF VI

HTS 201-15-SiC

HTS 121-160-FI

HTS 361-200-FI

HTS 361-200-FI

HTS 500-80  MOSFET Switch

HTS 240-48-B  MOSFET Switch

HTS 240-104-B  MOSFET Switch

HTS 241-30-SiC Silicon Carbide Switch 

HTS 401-160-LC2  MOSFET Switch

FSWP 51-02 (NO)  Fast Square Wave Pulser No Options

GCF VI   Option Grounded Cooling Flange, Category VI