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德国贝尔克本征二管高压开关HTS 21-07-C

    

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品牌BEHLKE 有效期至长期有效 最后更新2024-11-19 17:19
防护等级IP68 电压6000 电流50A
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德国贝尔克本征二管高压开关HTS 21-07-C

本征二管高压开关(Intrinsic Diode High Voltage Switch)和续流二管高压开关(Freewheeling Diode High Voltage Switch)都是用于高压开关电路中的二管,但它们在用途和特性上有所不同。以下是它们的主要区别:
1. 本征二管高压开关
定义:本征二管通常指的是在半导体器件内部天然存在的二管,例如在晶体管(如MOSFET或IGBT)中,这些器件的结构中包含一个二管,称为体二管或本征二管。
用途:主要用于提供保护或导通路径,当开关器件(如MOSFET)关闭时,本征二管可以提供一条电流路径,避免高压脉冲造成损害。在一些应用中,本征二管的存在能够改善电路的可靠性和性能,特别是在处理感性负载时。
特点:反向恢复特性:本征二管具有一定的反向恢复时间,可能影响电路的开关速度。正向电压降:相较于专用续流二管,本征二管的正向电压降通常较高。集成度:由于是半导体器件内部自带的二管,设计和集成上较为简便。
2. 续流二管高压开关
定义:续流二管,也称为自由轮廓二管,是专门设计和外部连接到电路中的二管,用于处理感性负载中的反向电流或续流电流。
用途:主要用于处理感性负载中的续流电流(例如电感、变压器),防止因感性负载断开时产生的高电压尖峰对开关器件造成损害。可以有效保护高压开关器件免受反向电流或高电压尖峰的影响。
特点:反向恢复特性:专用续流二管通常具有快速反向恢复特性,使其能够快速处理感性负载中的电流。
正向电压降:通常设计上具有较低的正向电压降,以减少电能损失。
独立性:作为单独的器件安装在电路中,提供更高的灵活性和更好的性能优化。
总结
本征二管:是半导体开关器件内部的天然二管,主要用于提供保护或作为导通路径,但可能在反向恢复特性和正向电压降上有一定的限制。
续流二管:是外部专门设计的二管,优化了处理感性负载中的反向电流的性能,通常具有更好的反向恢复特性和更低的正向电压降。
在高压开关电路设计中,根据具体的应用需求和电路特性,选择合适的二管类型可以显著提高系统的可靠性和性能。
 
田永福
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应用领域
高能物理实验:在高能物理研究中,BEHLKE 高压脉冲发生器用于产生高能脉冲,以研究粒子加速器和探测器的性能。
材料科学:用于材料的高压脉冲测试,研究材料在端条件下的行为和性能。
医学成像:在医学成像设备中,如CT扫描仪中,使用高压脉冲发生器来生成所需的高电压脉冲,以提高图像质量和分辨率。
雷达和通信:在雷达和通信系统中,高压脉冲发生器用于产生高能脉冲,以增强信号的传输和接收性能。
科学研究:各种科研实验需要高压脉冲发生器来模拟端条件,测试不同材料和设备的耐受性。
技术参数
电压范围:通常提供从几千伏到数万伏的电压范围。
脉冲宽度:能够产生纳秒级到微秒级的脉冲宽度。
脉冲重复频率:高达几千赫兹甚至更高的频率,以适应不同的应用需求。
开关时间:开关速度通常在纳秒级,适合高速脉冲应用。
BEHLKE 高压脉冲发生器的选择应根据具体应用需求来决定,包括所需的电压、脉冲宽度、开关速度和重复频率。
HTS 500-80  MOSFET Switch
HTS 240-48-B  MOSFET Switch
HTS 240-104-B  MOSFET Switch
HTS 241-30-SiC Silicon Carbide Switch 
HTS 401-160-LC2  MOSFET Switch
FSWP 51-02 (NO)  Fast Square Wave Pulser No Options
GCF VI   Option Grounded Cooling Flange, Category VI
EXPRESS DE
HTS 201-15-SiC  Silicon Carbide Switch
HTS 121-160-FI  IGBT Switch, Fast IGBT
HTS 361-200-FI  IGBT Switch, Fast IGBT
HTS 361-200-FI  IGBT Switch, Fast IGBT
HTS 500-80   MOSFET Switch
HTS 21-07-C
HTS 81-06-GSM
HTS 150 MOSFET Switch
HTS 61-03-GSM
HTS 300
HTS 901-10-LC2
HTS 11-07-HB-C
HTS 651-10-GSM
HTS 211-25-B
联系方式
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